यूव्हीसी एलईडी

यूव्हीसी ही एक निर्जंतुकीकरण पद्धत आहे जी न्यूक्लिक idsसिड नष्ट करून सूक्ष्मजीवांना मारण्यासाठी किंवा निष्क्रिय करण्यासाठी शॉर्ट-वेव्हलेथ अल्ट्राव्हायोलेट लाइटचा वापर करते आणि डीएनएमध्ये व्यत्यय आणते जेणेकरून सेल्युलरची महत्त्वपूर्ण कार्ये करण्यास त्यांना असमर्थता मिळते. यूव्हीसी निर्जंतुकीकरण विविध अनुप्रयोगांमध्ये वापरले जाते, जसे की अन्न, हवा, उद्योग, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स, कार्यालयीन उपकरणे, गृह इलेक्ट्रॉनिक्स, स्मार्ट होम आणि जल शुध्दीकरण.

Aolittel यूव्हीसी एलईडी लहान आहेत, 265nm च्या तरंगलांबी अचूकता, वाइड applicationप्लिकेशन मोड, ते लहान वॉटर प्युरिफायर किंवा पोर्टेबल स्टिरिलायझर्ससाठी उपयुक्त आहे. Aolittel आपल्या सानुकूलित आवश्यकतांसाठी यूव्हीसी एलईडी डिझाइनसह अतिरिक्त ODM सोल्यूशन्स प्रदान करू शकते, आम्ही आपल्या कल्पना प्रत्यक्षात आणत आहोत.
â € A खाली एओलीटेल यूव्हीसी एलईडी परिचय आणि तपशील आहेत.
काही विशेष आवश्यक असल्यास किंवा अधिक माहिती असल्यास कृपया आमची उत्पादने तपशील आणि उत्पादन व्यवस्थापक विचारा.
€ € dis निर्जंतुकीकरणासाठी इष्टतम तरंगलांबी काय आहे?

निर्जंतुकीकरणासाठी 254nm इष्टतम तरंगलांबी आहे असा एक गैरसमज आहे कारण कमी-दाब पारा दिवाची पीक तरंगलांबी (फक्त दिव्याच्या भौतिकशास्त्रानुसार निर्धारित केलेली) 253.7nm आहे. डीएनए शोषण वक्र शिखर म्हणून 265nm लांबीची तरंगलांबी सामान्यत: इष्टतम म्हणून स्वीकारली जाते. तथापि, निर्जंतुकीकरण आणि निर्जंतुकीकरण अनेक तरंगदैर्ध्यांवर आढळते.
â € ¢ अतिनील पारा दिवे निर्जंतुकीकरण आणि निर्जंतुकीकरणासाठी सर्वोत्तम पर्याय मानले गेले आहेत. अस का?

ऐतिहासिकदृष्ट्या, निर्जंतुकीकरण आणि निर्जंतुकीकरणासाठी पारा दिवे हा एकमेव पर्याय आहे. अतिनील एलईडी तंत्रज्ञानाच्या प्रगतीसह, असे नवीन पर्याय आहेत जे लहान, अधिक मजबूत, विष-मुक्त, दीर्घयुष्य, ऊर्जा कार्यक्षम आणि असीम चालू / बंद स्विचिंगला अनुमती देतात. हे सोल्यूशन्स लहान, बॅटरी समर्थित, पोर्टेबल आणि झटपट पूर्ण प्रकाश आउटपुटसह अनुमती देते.
€ € U यूव्हीसी एलईडी आणि पारा दिवेच्या तरंगलांबी कशाशी तुलना करतात?

कमी दाब पारा दिवे 253.7nm च्या तरंगलांबीसह जवळजवळ मोनोक्रोमॅटिक प्रकाश उत्सर्जित करतात. कमी दाब पारा दिवे (फ्लोरोसंट ट्यूब) आणि उच्च-दाब पारा दिवे निर्जंतुकीकरण आणि निर्जंतुकीकरणासाठी देखील वापरले जातात. या दिवेमध्ये विस्तृत विस्तृत वर्णक्रमीय वितरण आहे ज्यात जंतुनाशक तरंगलांबी समाविष्ट आहे. अति विशिष्ट आणि अरुंद तरंगदैर्ध्य लक्ष्य करण्यासाठी यूव्हीसी एलईडी तयार करता येतात. हे विशिष्ट अनुप्रयोगाच्या गरजेनुसार निराकरण करण्यासाठी अनुमती देते.

रेफ्रिजरेशनच्या 9 दिवसांनंतर, यूव्हीसी एलईडी (उजवीकडे) यांनी प्रकाशित केलेल्या स्ट्रॉबेरी ताजे दिसतात, परंतु अनइलिमिनेटेड बेरी मोल्ड असतात. (यू.एस. कृषी विभागाचे सौजन्य)

यूव्हीसी एलईडी एक्सप्लोर करताना सामान्य प्रश्न कंपन्या विचारतातनिर्जंतुकीकरण अनुप्रयोगांसाठी यूव्हीसी एलईडी प्रत्यक्षात कसे कार्य करतात त्याशी संबंधित आहेत. या लेखात, आम्ही हे तंत्रज्ञान कसे कार्य करते याचे स्पष्टीकरण प्रदान करतो.

एलईडीची सामान्य तत्त्वे

लाइट-उत्सर्जक डायोड (एलईडी) एक सेमीकंडक्टर डिव्हाइस आहे जो जेव्हा विद्युत प्रवाह वाहतो तेव्हा प्रकाश सोडतो. अत्यंत शुद्ध, दोषमुक्त अर्धसंवाहक (तथाकथित, आंतरिक अर्धसंवाहक) सामान्यत: विद्युत अत्यंत खराब पद्धतीने चालवितात, डोप्टंट्स सेमीकंडक्टरमध्ये येऊ शकतात ज्यामुळे ते एकतर नकारात्मक चार्ज इलेक्ट्रॉन (एन-प्रकार सेमीकंडक्टर) किंवा सकारात्मक चार्ज असलेल्या छिद्रे घेतात. (पी-प्रकार सेमीकंडक्टर).

एलईडीमध्ये पी-एन जंक्शन असते जेथे पी-प्रकार सेमीकंडक्टर एन-प्रकार सेमीकंडक्टरच्या वर ठेवला जातो. जेव्हा फॉरवर्ड बायस (किंवा व्होल्टेज) लागू केला जातो तेव्हा एन-टाइप प्रदेशातील इलेक्ट्रॉन पी-प्रकार प्रदेशाच्या दिशेने ढकलले जातात आणि त्याचप्रमाणे पी-प्रकारातील छिद्रांना उलट दिशेने ढकलले जाते (कारण ते सकारात्मक आकारले जातात) एन-प्रकारच्या सामग्रीकडे. पी-प्रकार आणि एन-टाइप सामग्रीच्या जंक्शनवर, इलेक्ट्रॉन आणि छिद्र पुन्हा संयोजित होतील आणि प्रत्येक पुनर्क्रमांकन घटनेमुळे अर्धसंवाहकाची एक आंतरिक गुणधर्म आहे जेथे पुनर्जन्म होतो.

साइड नोट: सेमीकंडक्टरच्या वाहक बँडमध्ये इलेक्ट्रॉन तयार केले जातात आणि व्हॅलेन्स बँडमध्ये छिद्र तयार होतात. वाहक बँड आणि व्हॅलेन्स बँडमधील उर्जामधील फरक बँडगॅप ऊर्जा असे म्हणतात आणि अर्धसंवाहकाच्या बंधन वैशिष्ट्यांद्वारे निश्चित केले जाते.

किरणोत्सर्गी पुनर्संचयितडिव्हाइसच्या सक्रिय प्रदेशात वापरल्या जाणार्‍या सामग्रीच्या बॅन्डगॅपद्वारे निर्धारित केलेल्या उर्जा आणि तरंगलांबी (दोघे एकमेकांशी संबंधित आहेत प्लॅन्काइएक समीकरणानुसार) सह प्रकाशातील एकाच फोटोनचे उत्पादन करते.नॉन-रेडिएटिव्ह रीबॉम्बिनेशनइलेक्ट्रॉन आणि होल रिकॉम्बिनेशनद्वारे प्रकाशीत केलेल्या उर्जाचे प्रमाण प्रकाशाच्या फोटोंऐवजी उष्णतेचे उत्पादन करते तेथे देखील येऊ शकते. या नॉन-रेडिएटिव्ह रिकॉम्बिनेशन इव्हेंट्स (डायरेक्ट बॅन्डगॅप सेमीकंडक्टरमध्ये) मध्ये दोषांमुळे उद्भवलेल्या मध्यम-अंतराळ इलेक्ट्रॉनिक राज्यांचा समावेश आहे. आम्हाला आमचे एलईडी उष्णतेमुळे नव्हे तर प्रकाश उत्सर्जित करायचे आहेत, म्हणून आम्ही रेडिएटिव्ह रिकॉम्बिनेशनची टक्केवारी नॉन-रेडिएटिव्ह रिकॉम्बिनेशनच्या तुलनेत वाढवू इच्छितो. हे करण्याचा एक मार्ग म्हणजे डायोडच्या सक्रिय प्रदेशात वाहक-मर्यादीत थर आणि क्वांटम विहिरी सादर करणे ज्यायोगे योग्य परिस्थितीत पुनर्संयोजन चालू असलेल्या इलेक्ट्रॉन आणि छिद्रांची एकाग्रता वाढविण्याचा प्रयत्न करणे.

तथापि, आणखी एक महत्त्वाचे पॅरामीटर दोषांच्या एकाग्रता कमी करीत आहे ज्यामुळे डिव्हाइसच्या सक्रिय प्रदेशात रेडिएटिव्ह नॉन-रेबिनेशन होऊ शकते. म्हणूनच ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिकमध्ये अव्यवस्थित घनता ही अशी महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते कारण ते रेडिएटिव्ह नसलेल्या पुनर्संचयित केंद्रांचे मूळ स्रोत आहेत. डिस्लोकेशन्स बर्‍याच गोष्टींमुळे होऊ शकतात परंतु कमी घनता प्राप्त करण्यासाठी एलईडीचा सक्रिय प्रदेश तयार करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या एन-टाइप आणि पी-टाइप थरांची आवश्यकता असते जे जाळीदार जुळणारे सब्सट्रेटवर घेतले जाते. अन्यथा क्रिस्टल-जाळीच्या संरचनेत फरक सामील करण्याचा मार्ग म्हणून डिस्लोकेशन्स सादर केले जातील.

म्हणूनच, एलईडी कार्यक्षमता वाढविणे म्हणजे डिस्लॉटेक्शनची घनता कमी करून रेडिएटिव्ह रिकॉम्बिनेशन रेटच्या तुलनेत रेडिएटिव्ह रिकॉम्बिनेशन रेट वाढवणे.

यूव्हीसी एलईडी

अल्ट्राव्हायोलेट (यूव्ही) एलईडीमध्ये वॉटर ट्रीटमेंट, ऑप्टिकल डेटा स्टोरेज, कम्युनिकेशन्स, बायोलॉजिकल एजंट डिटेक्शन आणि पॉलिमर क्युरिंग या क्षेत्रातील अनुप्रयोग आहेत. यूव्ही स्पेक्ट्रल श्रेणीचा यूव्हीसी प्रदेश 100 एनएम ते 280 एनएम दरम्यानच्या तरंगलांबीचा संदर्भ देतो.

In the case of disinfection, the optimum wavelength is in the region of 260 nm to 270 nm, with germicidal efficacy falling exponentially with longer wavelengths. यूव्हीसी एलईडी offer considerable advantages over the traditionally used mercury lamps, notably they contain no hazardous material, can be switched on/off instantaneously and without cycling limitation, have lower heat consumption, directed heat extraction, and are more durable.

In the case of यूव्हीसी एलईडी, to achieve short wavelength emission (260 nm to 270 nm for disinfection), a higher aluminum mole fraction is required, which makes the growth and doping of the material difficult. Traditionally, bulk lattice-matched substrates for the III-nitrides was not readily available, so sapphire was the most commonly used substrate. Sapphire has a large lattice mismatch with high Al-content AlGaN structure of यूव्हीसी एलईडी, which leads to an increase in non-radiative recombination (defects). This effect seems to get worse at higher Al concentration so that sapphire-based यूव्हीसी एलईडी tend to drop in power at wavelengths shorter than 280 nm faster than AlN-based यूव्हीसी एलईडी while the difference in the two technologies seems less significant in the UVB range and at longer wavelengths where the lattice-mismatch with AlN is larger because higher concentrations of Ga are required.

नेटिव्ह अलएन सबस्ट्रेट्सवरील स्यूडोमॉर्फिक वाढ (त्याच ठिकाणी आंतरिक अल्जॅनच्या मोठ्या जाळीचे पॅरामीटर एलिस्टिकली कॉम्प्रेस करून समाविष्ट केले जाते जे दोष ओळखल्याशिवाय अल्नवर फिट बसते) परिणामी परमाणु फ्लॅट, लो-डिफेक्ट लेयर्स, पीक पॉवरसह, २5, एनएम, संबंधित वर्णक्रमीय-अवशोषण सामर्थ्यामुळे अनिश्चिततेचे परिणाम कमी करतांना दोन्ही जास्तीत जास्त जंतुनाशक शोषण.
आपल्याकडे काही प्रश्न असल्यास कृपया आमच्याशी संपर्क साधा मोकळ्या मनाने धन्यवाद!